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| 我科學(xué)家研制出單電子量子閃存器件 |
| 來源:轉(zhuǎn)載 點(diǎn)擊數(shù):414次 更新時(shí)間:2026/7/20 9:44:24 |
人民網(wǎng)>>經(jīng)濟(jì)·科技 2026年07月20日
作為算力的底層基石,存儲(chǔ)芯片所帶來的數(shù)據(jù)交互延時(shí)與功耗問題,是阻礙算力提升的根本瓶頸。7月17日,復(fù)旦大學(xué)周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》雜志上發(fā)表最新成果:團(tuán)隊(duì)發(fā)明“量子閃存”技術(shù),研制出具有全球最大非易失量子存儲(chǔ)窗口的器件,開創(chuàng)單電子量子存儲(chǔ)理論體系,為量子存儲(chǔ)工程應(yīng)用補(bǔ)齊關(guān)鍵理論短板。 理論上,“一電子、一比特”是存儲(chǔ)密度的物理極限,但當(dāng)前主流動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)1比特信息要消耗約20萬個(gè)電子。 如果把存儲(chǔ)器件看作一個(gè)“蓄水池”,電子就是池中的“一滴水”。觀測單電子存儲(chǔ),就像試圖感知“一滴水”在巨大水庫中的波動(dòng)。團(tuán)隊(duì)基于量子力學(xué)基本原理,依托二維半導(dǎo)體原子級(jí)厚度的電子束縛優(yōu)勢,設(shè)計(jì)出名為“歸壹”的量子閃存器件,首次在27℃室溫環(huán)境下觀測到單電子穩(wěn)定存儲(chǔ)行為,突破了同類實(shí)驗(yàn)中單電子狀態(tài)難以在室溫下穩(wěn)定保持、量子行為無法清晰觀測的技術(shù)瓶頸。 “歸壹”僅注入單個(gè)電子就能形成0.5伏特存儲(chǔ)窗口,滿足商業(yè)化落地標(biāo)準(zhǔn),達(dá)到了“一電子、一比特”電荷存儲(chǔ)的理論頂峰。該器件能從底層降低算力功耗,是適配人工通用智能發(fā)展的新一代存儲(chǔ)核心。 團(tuán)隊(duì)還獨(dú)創(chuàng)性提出“態(tài)密度剪刀”理論,并在世界上首次揭示了一種前所未見的反常量子存儲(chǔ)行為:在能量空間中用一把無形的“量子剪刀”將特定的量子態(tài)精準(zhǔn)“裁剪”使其憑空消失。 這一成果不僅開創(chuàng)了單電子量子存儲(chǔ)的全新理論體系,更為量子存儲(chǔ)走向工程應(yīng)用,拼上了至關(guān)重要的一塊理論版圖。
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